收藏本站
Si4848DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.15
1200
0.12
900
C iss
0.09
V GS = 6 V
600
0.06
V GS = 10 V
300
0.03
0.00
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
0
30
60
90
120
150
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
3.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
16
V DS = 75 V
I D = 3.5 A
2.5
V GS = 10 V
I D = 3.5 A
2.0
12
1.5
8
1.0
4
0
0.5
0.0
0
6
12
18
24
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
10
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 3.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71356
S09-0870-Rev. C, 18-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4866BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
SI4866DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
SI4884BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4886DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SI4890BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SI4890DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4894BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4904DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4850EY 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4850EY_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-E3 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4850EY-T1 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 1.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4850EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60 Volt 8.5 Amp 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4850EY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI4850EY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 3.3W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4852DY 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube